Вчені з університету в Китаї встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши флеш-пам’ять, яка здатна зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, названий PoX, є енергонезалежною пам’яттю, яка виявилася набагато швидшою за найшвидші сучасні технології, такі як SRAM і DRAM. Для порівняння, нова пам’ять може бути в 2,5 рази швидшою за інші енергозалежні аналоги і до 25 разів швидшою за повільніші. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Зараз команда дослідників шукає способи перетворення цього пристрою на комерційний продукт. Результати їх дослідження були опубліковані у журналі Nature.
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
